檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "張原豪".ccommittee (精準) and year="109"
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加,氧化層變薄。 因此,存儲在電池中的電荷變得更容易丟失,這將導致Vth發生負向偏移。 同時,由於FN隧道…
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為了增加MLC flash memory的整體效能,會把SSD 中一部分的MLC block 轉換成pseudo SLC block,能讓這些block 能夠有一般SLC block的效能,因為此時…
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由於快閃記憶體技術已縮小到 1x nm,並且可以在一個單元中存儲更多位,因此快閃記憶體的存儲密度得到了顯著提高。然而,這些技術趨勢也嚴重損害了快閃記憶體的編程速度和耐久性。內部數據保留時間是快閃記憶…